类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 28 Pin |
电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
工作电压 | 5 V |
封装 | BSOJ-28 |
针脚数 | 28 Position |
位数 | 8 Bit |
存取时间 | 12 ns |
内存容量 | 32000 B |
存取时间(Max) | 12 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Each |
长度 | 18.54 mm |
宽度 | 7.75 mm |
高度 | 2.67 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
静态 RAM,ISSI
●ISSI
● 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
●电源:1.8V/3.3V/5V
●提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
●提供的配置选择:x8 和 x16
●ECC 功能可用于高速异步 SRAM
●### SRAM(静态随机存取存储器)
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INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61C256AL-12JLI 芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
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RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
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静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
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