| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 44 Pin |
| 电源电压 | 3.30 V, 3.60 V (max) |
| 工作电压 | 3.135V ~ 3.6V |
| 封装 | TSOP-44 |
| 针脚数 | 44 Position |
| 位数 | 8 Bit |
| 存取时间 | 10 ns |
| 内存容量 | 500000 B |
| 存取时间(Max) | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 3.135V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 3.135 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 18.52 mm |
| 宽度 | 10.29 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
静态 RAM，ISSI
●ISSI
● 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
●电源：1.8V/3.3V/5V
●提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
●提供的配置选择：x8 和 x16
●ECC 功能可用于高速异步 SRAM
●### SRAM（静态随机存取存储器）
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LV5128AL-10TLI 芯片, SRAM 4MB 512K X 8 3V 10ns
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns 3.3v
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