类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 44 Pin |
封装 | TSOP-44 |
针脚数 | 44 Position |
位数 | 8 Bit |
存取时间 | 10 ns |
存取时间(Max) | 10 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 2.4V ~ 3.6V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tray |
长度 | 18.54 mm |
宽度 | 10.29 mm |
高度 | 1.05 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
静态 RAM,ISSI
●ISSI
● 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
●电源:1.8V/3.3V/5V
●提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
●提供的配置选择:x8 和 x16
●ECC 功能可用于高速异步 SRAM
●### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
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静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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