| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 电源电压 | 2.25V (min) |
| 封装 | SOIC-16 |
| 上升/下降时间 | 18ns, 20ns |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 16 Position |
| 功耗 | 1255 mW |
| 隔离电压 | 5700 Vrms |
| 下降时间(Max) | 20 ns |
| 上升时间(Max) | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1255 mW |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 2.25 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 高度 | 2.35 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
2.7A，5.5A 栅极驱动器 容性耦合 5700Vrms 通道 16-SOIC
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ISO5452 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有分离输出
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TEXAS INSTRUMENTS ISO5452DWR 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 反相/非反相, SOIC-16
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具有分离输出和保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
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MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 2.25 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
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门驱动器 High-CMTI 2.5-A/5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features 16-SOIC -40 to 125
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ISO5452-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有分离输出
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