类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 16 Pin |
封装 | SOIC-16 |
上升/下降时间 | 18ns, 20ns |
输出接口数 | 1 Output |
通道数 | 1 Channel |
功耗 | 1255 mW |
隔离电压 | 5700 Vrms |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1255 mW |
电源电压 | 15V ~ 30V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
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TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SDWR 芯片, 隔离晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET驱动器, 5.5V, SOIC
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具有分离输出和保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
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MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 2.25 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
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TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SEVM 评估板, IGBT门驱动器, 2.5A源/5A漏
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具有保护功能的汽车类 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
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ISO5852S-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
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ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
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ISO5852S-EP CMTI 较高的 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
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