类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 16 Pin |
电源电压 | 2.25V (min) |
封装 | SOIC-16 |
上升/下降时间 | 18ns, 20ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 15V ~ 30V |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 16 Position |
功耗 | 1.255 W |
上升时间 | 18 ns |
隔离电压 | 5700 Vrms |
下降时间 | 20 ns |
下降时间(Max) | 37 ns |
上升时间(Max) | 35 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1255 mW |
电源电压 | 15V ~ 30V |
电源电压(Max) | 5.5 V |
电源电压(Min) | 2.25 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
TI(德州仪器)
37 页 / 1.52 MByte
TI(德州仪器)
19 页 / 0.47 MByte
TI(德州仪器)
40 页 / 1.17 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 1.52 MByte
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SDWR 芯片, 隔离晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET驱动器, 5.5V, SOIC
TI(德州仪器)
具有分离输出和保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 2.25 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS ISO5852SEVM 评估板, IGBT门驱动器, 2.5A源/5A漏
TI(德州仪器)
具有保护功能的汽车类 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
ISO5852S-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
TI(德州仪器)
ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出
TI(德州仪器)
ISO5852S-EP CMTI 较高的 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件