类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PG-DSO-8 |
输出接口数 | 1 Output |
输入电压(DC) | 16.0 V |
输出电流 | 1.3 A |
供电电流 | 0.8 mA |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
功耗 | 1.5 W |
输出电流(Max) | 1.3 A |
输出电流(Min) | 1.3 A |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -30 ℃ |
耗散功率(Max) | 1500 mW |
工作电压(Max) | 52 V |
电源电压 | 6.52 VDC |
电源电压(Max) | 52 V |
电源电压(Min) | 6 V |
输入电压 | 16 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.45 mm |
工作温度 | -30℃ ~ 85℃ (TA) |
PROFET 智能高侧电源开关,单通道,Infineon
●过载保护
●电流限制
●短路保护
●热关闭
●过电压保护
●静电放电 (ESD) 保护
Infineon(英飞凌)
20 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
64 页 / 4.46 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte
Infineon(英飞凌)
17 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON ISP752RFUMA1 电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 16V, 4.5A, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON ISP752TFUMA1 电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 高电平有效, 1路输出, 52V, SOIC-8
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