| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-DSO-8 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 1.3 A |
| 供电电流 | 0.8 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 1.5 W |
| 输出电流(Max) | 1.3 A |
| 输出电流(Min) | 1.3 A |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -30 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 输入电压 | 52 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.45 mm |
| 工作温度 | -30℃ ~ 85℃ (TA) |
PROFET 智能高侧电源开关，单通道，Infineon
●过载保护
●电流限制
●短路保护
●热关闭
●过电压保护
●静电放电 (ESD) 保护
Infineon（英飞凌）
18 页 / 0.28 MByte
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
Infineon（英飞凌）
150 页 / 0.62 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte
Infineon（英飞凌）
PROFET™ 智能高侧电源开关，单通道，Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关，Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。
Infineon（英飞凌）
PROFET™ 智能高侧电源开关，单通道，Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关，Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。
Infineon（英飞凌）
INFINEON ISP752RFUMA1 电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 16V, 4.5A, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON ISP752TFUMA1 电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 高电平有效, 1路输出, 52V, SOIC-8
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