IXA20IF1200HB 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-247-3
描述:	IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装
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IXA20IF1200HB 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
功耗	165 W
击穿电压(集电极-发射极)	1200 V
反向恢复时间	350 ns
额定功率(Max)	165 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
耗散功率(Max)	165 W

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IXA20IF1200HB 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	16.26 mm
宽度	5.3 mm
高度	21.46 mm
工作温度	-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXA20IF1200HB 符合标准

IXA20IF1200HB 概述

IXA20IF1200HB 数据手册

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IXA20IF1200HB 其他数据使用手册

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6 页 / 0.12 MByte

IXA20IF1200 数据手册

IXA20IF1200HB 数据手册

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IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装

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