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IXBF20N360
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IXBF20N360 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:i4-Pac
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXBF20N360 数据手册 (6 页)
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IXBF20N360 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装i4-Pac
击穿电压(集电极-发射极)3600 V
反向恢复时间1.7 µs
额定功率(Max)230 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)230000 mW

IXBF20N360 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXBF20N360 数据手册

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IXYS Semiconductor
6 页 / 0.21 MByte

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