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IXBH20N360HV
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IXBH20N360HV 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXBH20N360HV 数据手册 (6 页)
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IXBH20N360HV 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极)3600 V
反向恢复时间1.7 µs
额定功率(Max)430 W

IXBH20N360HV 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXBH20N360HV 数据手册

IXBH20N360HV 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.27 MByte

IXBH20N360 数据手册

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