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IXBH40N160
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IXBH40N160 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:N-沟道 1600 V 40 A 法兰安装 高压 BiMosFET - TO-247AD
PDF文件:IXBH40N160 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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IXBH40N160 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.60 kV
额定电流33.0 A
封装TO-247-3
极性N-Channel
功耗350 W
上升时间60.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)1600 V
额定功率(Max)350 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350000 mW
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IXBH40N160 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXBH40N160 数据手册

IXBH40N160 数据手册
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IXBH40 数据手册

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N-沟道 1600 V 40 A 法兰安装 高压 BiMosFET - TO-247AD
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