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IXBH42N170
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IXBH42N170 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:IXBH 系列 单通道 1700 V 42 A 37 ns t(on) 双极性 MOS 晶体管 - TO-247
PDF文件:IXBH42N170 数据手册 (5 页)
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IXBH42N170 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.70 kV
额定电流75.0 A
封装TO-247-3
功耗360000 mW
上升时间35.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
反向恢复时间1.32 µs
额定功率(Max)360 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360000 mW
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IXBH42N170 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXBH42N170 数据手册

IXBH42N170 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXBH 系列 单通道 1700 V 42 A 37 ns t(on) 双极性 MOS 晶体管 - TO-247
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