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IXDD630YI
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IXDD630YI 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:FET驱动器
封装:TO-263-5
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A
PDF文件:IXDD630YI 数据手册 (12 页)封装尺寸在11 页
原理图在6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXDD630YI 数据手册 (12 页)
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IXDD630YI 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TO-263-5
上升/下降时间11 ns
输出接口数1 Output
上升时间20 ns
输出电流(Max)30 A
下降时间18 ns
下降时间(Max)18 ns
上升时间(Max)20 ns
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
电源电压12.5V ~ 35V
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IXDD630YI 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXDD630YI 数据手册

IXDD630YI 数据手册
IXYS Semiconductor
12 页 / 0.25 MByte
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