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IXDF602PI 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
FET驱动器
封装:
DIP-8
描述:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
PDF文件:
IXDF602PI 数据手册 (13 页)
引脚图
在
3 页
Hot
封装尺寸
在
11 页
13 页
原理图
在
6 页
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IXDF602PI 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
上升/下降时间
7.5ns, 6.5ns
电源电压
4.5V ~ 35V
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IXDF602PI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXDF602PI 符合标准
IXDF602PI 概述
低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-DIP
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