Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXDH30N120 Datasheet 文档
IXDH30N120
来自 AiPCBA

IXDH30N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-3-3
PDF文件:IXDH30N120 数据手册 (4 页)典型应用电路图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXDH30N120 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXDH30N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
功耗300000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)300 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
查看数据手册 >

IXDH30N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXDH30N120 数据手册

IXDH30N120 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.08 MByte

IXDH30 数据手册

IXDH30N120D1 数据手册
IXYS Semiconductor
IXDH 系列 1200 Vce 60 A 100 ns t(on) 高压 IGBT - TO-247
IXDH30N120 数据手册
IXYS Semiconductor
IXDH30N120AU1 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet