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IXDN75N120
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IXDN75N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXDN75N120 数据手册 (4 页)典型应用电路图在1 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IXDN75N120 数据手册 (4 页)
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IXDN75N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗660000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)5.5nF @25V
额定功率(Max)660 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)660000 mW
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IXDN75N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXDN75N120 数据手册

IXDN75N120 数据手册
IXYS Semiconductor
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