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IXDR30N120
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IXDR30N120 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXDR30N120  单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
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焊盘图
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IXDR30N120 数据手册 (4 页)
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IXDR30N120 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247
针脚数3 Position
极性N-Channel
功耗200 W
上升时间70.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)200 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200000 mW
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IXDR30N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.34 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXDR30N120 数据手册

IXDR30N120 数据手册
IXYS Semiconductor
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