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IXER35N120D1
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IXER35N120D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:ISOPLUS-247
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焊盘图
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IXER35N120D1 数据手册 (4 页)
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IXER35N120D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流50.0 A
封装ISOPLUS-247
极性NPN
功耗200 W
上升时间50.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
反向恢复时间80 ns
额定功率(Max)200 W

IXER35N120D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Bulk
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXER35N120D1 数据手册

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IXYS Semiconductor
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