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IXFA4N100Q
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IXFA4N100Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IXFA4N100Q 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFA4N100Q 数据手册 (4 页)
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IXFA4N100Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗150 W
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)4A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)150 W
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150W (Tc)
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IXFA4N100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFA4N100Q 数据手册

IXFA4N100Q 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.14 MByte

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