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IXFH10N100
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IXFH10N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFH10N100 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFH10N100 数据手册 (4 页)
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IXFH10N100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流10.0 A
封装TO-247-3
额定功率300 W
漏源极电阻1.20 Ω
极性N-Channel
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)4000pF @25V(Vds)
下降时间32 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXFH10N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH10N100 数据手册

IXFH10N100 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.55 MByte

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