类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 300 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.05 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 5.5 V |
漏源极电压(Vds) | 1000 V |
连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
上升时间 | 23 ns |
输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
重量 | 6.00 g |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.14 MByte
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100Q 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 5.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件