Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFH16N120P Datasheet 文档
IXFH16N120P
来自 AiPCBA

IXFH16N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 1.2kV 16A
PDF文件:IXFH16N120P 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFH16N120P 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFH16N120P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗660W (Tc)
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)16A
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)6900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)660 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)660W (Tc)
查看数据手册 >

IXFH16N120P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度5.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFH16N120P 数据手册

IXFH16N120P 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.11 MByte
IXFH16N120P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.12 MByte

IXFH16N120 数据手册

IXFH16N120P 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 1.2kV 16A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet