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IXFH21N50
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IXFH21N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH21N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
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IXFH21N50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流21.0 A
封装TO-247-3
额定功率300 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.25 Ω
极性N-Channel
功耗300 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)21.0 A
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXFH21N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH21N50 数据手册

IXFH21N50 数据手册
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH21N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
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IXYS RF  IXFH21N50F  晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD
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