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IXFH220N06T3 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-247-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFH220N06T3 数据手册
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IXFH220N06T3 数据手册 (6 页)
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IXFH220N06T3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
4 mΩ
功耗
440 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
8500pF @25V(Vds)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
440W (Tc)
IXFH220N06T3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
IXFH220N06T3 符合标准
IXFH220N06T3 数据手册
IXFH220N06T3
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IXYS Semiconductor
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