类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 26.0 A |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 300 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.2 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 26.0 A |
上升时间 | 33 ns |
输入电容值(Ciss) | 4200pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
下降时间 | 30 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 16.26 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 21.46 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.15 MByte
IXYS Semiconductor
20 页 / 2.6 MByte
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件