| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 26.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 漏源极电阻 | 230 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 400 W |
| 输入电容 | 3.60 nF |
| 栅电荷 | 60.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 26.0 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3600pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 400 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.26 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 21.46 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
●IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
●### MOSFET 晶体管，IXYS
●IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 V
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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