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IXFH30N50Q3
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IXFH30N50Q3 技术参数、封装参数

IXFH30N50Q3 外形尺寸、物理参数、其它

IXFH30N50Q3 数据手册

IXYS Semiconductor
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IXFH30N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 30 A, 500 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V
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N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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