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IXFH32N50
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IXFH32N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH32N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
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IXFH32N50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流32.0 A
封装TO-247-3
额定功率360 W
针脚数3 Position
漏源极电阻150 mΩ
极性N-Channel
功耗360 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)32.0 A
上升时间42 ns
输入电容值(Ciss)5700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 W
下降时间26 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360W (Tc)
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IXFH32N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH32N50 数据手册

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