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IXFH32N50Q
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IXFH32N50Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFH32N50Q 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXFH32N50Q 数据手册 (5 页)
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IXFH32N50Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率416 W
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗416 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)32A
上升时间42 ns
输入电容值(Ciss)4925pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360W (Tc)
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IXFH32N50Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
宽度5.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH32N50Q 数据手册

IXFH32N50Q 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.55 MByte
IXFH32N50Q 其他数据使用手册
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