类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-247-3 |
功耗 | 660W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
输入电容值(Ciss) | 4660pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 660W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 50A(Tc) 660W(Tc) TO-247
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V
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