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IXFH58N20Q
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IXFH58N20Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFH58N20Q 数据手册 (2 页)封装尺寸在2 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IXFH58N20Q 数据手册 (2 页)
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IXFH58N20Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流58.0 A
封装TO-247-3
漏源极电阻40.0 mΩ
极性N-Channel
功耗300 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)58.0 A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)3600pF @25V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXFH58N20Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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