Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFH6N100 Datasheet 文档
IXFH6N100
来自 AiPCBA
IXFH6N100 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFH6N100 技术参数、封装参数

IXFH6N100 外形尺寸、物理参数、其它

IXFH6N100 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.07 MByte
IXYS Semiconductor
9 页 / 1.06 MByte

IXFH6 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH6N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH60N50P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
通孔 N 通道 1200V 6A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)
IXYS Semiconductor
IXYS RF  IXFH6N100F  晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号