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IXFH6N100Q

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IXFH6N100Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
PDF文件:	IXFH6N100Q 数据手册 (2 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IXFH6N100Q 数据手册 (2 页)

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IXFH6N100Q 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
通道数	1 Channel
功耗	180 W
漏源极电压(Vds)	1000 V
输入电容值(Ciss)	2200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)	180W (Tc)

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IXFH6N100Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended
包装方式	Tube
宽度	5.3 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH6N100Q 符合标准

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