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IXFK160N30T
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IXFK160N30T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
PDF文件:IXFK160N30T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFK160N30T 数据手册 (6 页)
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IXFK160N30T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
通道数1 Channel
漏源极电阻19 mΩ
功耗1390 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
上升时间38 ns
输入电容值(Ciss)28000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1390 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1390W (Tc)
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IXFK160N30T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFK160N30T 数据手册

IXFK160N30T 数据手册
IXYS Semiconductor
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