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IXFK26N90
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IXFK26N90 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
PDF文件:IXFK26N90 数据手册 (4 页)
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IXFK26N90 数据手册 (4 页)
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IXFK26N90 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
极性N-CH
功耗560W (Tc)
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)26A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)10800pF @25V(Vds)
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)560W (Tc)
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IXFK26N90 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFK26N90 数据手册

IXFK26N90 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.13 MByte
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