| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 27.0 A |
| 封装 | TO-264-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 300 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.0 A |
| 上升时间 | 80 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9740pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 19.96 mm |
| 宽度 | 5.13 mm |
| 高度 | 26.16 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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