| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 64.0 A |
| 封装 | TO-264-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.085 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 830 W |
| 阈值电压 | 5.5 V |
| 输入电容 | 8.70 nF |
| 栅电荷 | 150 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 64.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 8700pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 830 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 830W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.22 MByte
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
