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IXFK73N30Q
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IXFK73N30Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
PDF文件:IXFK73N30Q 数据手册 (4 页)
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IXFK73N30Q 数据手册 (4 页)
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IXFK73N30Q 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-264-3
通道数1 Channel
漏源极电阻45 mΩ
极性N-CH
功耗500 W
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
连续漏极电流(Ids)73A
上升时间36 ns
输入电容值(Ciss)5400pF @25V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IXFK73N30Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度19.96 mm
宽度5.13 mm
高度26.16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFK73N30Q 数据手册

IXFK73N30Q 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.57 MByte
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