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IXFN132N50P3
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IXFN132N50P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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IXFN132N50P3 数据手册 (6 页)
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IXFN132N50P3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻0.039 Ω
极性N-Channel
功耗1.5 kW
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)18600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1500 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1500W (Tc)
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IXFN132N50P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN132N50P3 数据手册

IXFN132N50P3 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXFN132N50 数据手册

IXFN132N50P3 数据手册
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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