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IXFN140N20P
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IXFN140N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN140N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V
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IXFN140N20P 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻0.018 Ω
极性N-Channel
功耗680 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)140 A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)7500pF @25V(Vds)
下降时间90 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)680000 mW
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IXFN140N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN140N20P 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN140N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V
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