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IXFN180N25T
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IXFN180N25T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXFN 系列 N 沟道 250 V 12.9 mOhm 功率 MOSFET 表面贴装 -SOT-227
PDF文件:IXFN180N25T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFN180N25T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻12.9 mΩ
功耗900 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)250 V
漏源击穿电压250 V
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)28000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)900 W
下降时间28 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900W (Tc)
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IXFN180N25T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度12.22 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN180N25T 数据手册

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