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IXFN210N20P
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IXFN210N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN210N20P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXFN210N20P 数据手册 (5 页)
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IXFN210N20P 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
功耗1070 W
漏源极电压(Vds)200 V
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)18600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1070 W
下降时间18 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1070W (Tc)
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IXFN210N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN210N20P 数据手册

IXFN210N20P 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXFN210N20P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
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