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IXFN230N20T
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IXFN230N20T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXFN 系列 单通道 N 沟道 200 Vds 7.5 mOhm 1090 W 功率 MOSFET - SOT-227B
PDF文件:IXFN230N20T 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFN230N20T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗1090 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)220A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)28000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1090 W
下降时间29 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1090W (Tc)
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IXFN230N20T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度25.42 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN230N20T 数据手册

IXFN230N20T 数据手册
IXYS Semiconductor
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