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IXFN24N100F
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IXFN24N100F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:晶体管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS RF  IXFN24N100F  晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B
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IXFN24N100F 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻390 mΩ
极性N-Channel
功耗600 W
漏源极电压(Vds)1 kV
漏源击穿电压1000 V
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)6600pF @25V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXFN24N100F 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN24N100F 数据手册

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