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IXFN26N90
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IXFN26N90 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN26N90  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V
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IXFN26N90 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数3 Pin
额定电压(DC)900 V
额定电流26.0 A
封装SOT-227-4
针脚数3 Position
漏源极电阻300 mΩ
极性N-Channel
功耗600 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)26.0 A
上升时间35 ns
隔离电压2.50 kV
输入电容值(Ciss)10800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXFN26N90 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
重量44.0 g
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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