Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFN27N80 Datasheet 文档
IXFN27N80
来自 AiPCBA

IXFN27N80 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN27N80 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFN27N80 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFN27N80 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)800 V
额定电流27.0 A
封装SOT-227-4
额定功率520 W
漏源极电阻300 mΩ
极性N-Channel
功耗520 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)27.0 A
上升时间80.0 ns
输入电容值(Ciss)9740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)520 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)520W (Tc)
查看数据手册 >

IXFN27N80 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFN27N80 数据手册

IXFN27N80 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.15 MByte

IXFN27 数据手册

IXFN27N80Q 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN27N80Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 V
IXFN27N80 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet