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IXFN280N085
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IXFN280N085 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN280N085 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFN280N085 数据手册 (5 页)
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IXFN280N085 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻4.4 mΩ
极性N-CH
功耗700 W
漏源极电压(Vds)85 V
漏源击穿电压85 V
连续漏极电流(Ids)280A
上升时间95 ns
输入电容值(Ciss)19000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)700 W
下降时间33 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)700W (Tc)
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IXFN280N085 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
材质Silicon
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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