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IXFN360N15T2
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IXFN360N15T2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N-沟道 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-227
PDF文件:IXFN360N15T2 数据手册 (6 页)
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IXFN360N15T2 数据手册 (6 页)
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IXFN360N15T2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
输出接口数1 Output
输出电压150 V
输出电流310 A
供电电流100 A
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗1070 W
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)310A
上升时间170 ns
输入电容值(Ciss)47500pF @25V(Vds)
下降时间265 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1070W (Tc)
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IXFN360N15T2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN360N15T2 数据手册

IXFN360N15T2 数据手册
IXYS Semiconductor
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IXFN360N15 数据手册

IXFN360N15T2 数据手册
IXYS Semiconductor
N-沟道 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-227
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