Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFN38N100Q2 Datasheet 文档
IXFN38N100Q2
来自 AiPCBA

IXFN38N100Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXFN38N100Q2 一个物料配4个螺丝
PDF文件:IXFN38N100Q2 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFN38N100Q2 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFN38N100Q2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
漏源极电阻250 mΩ
极性N-CH
功耗890 W
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1000 V
连续漏极电流(Ids)38A
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)7200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)890 W
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)890W (Tc)
查看数据手册 >

IXFN38N100Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度38.23 mm
宽度25.42 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFN38N100Q2 数据手册

IXFN38N100Q2 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.55 MByte
IXFN38N100Q2 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.13 MByte

IXFN38N100 数据手册

IXFN38N100P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227B
IXFN38N100Q2 数据手册
IXYS Semiconductor
IXFN38N100Q2 一个物料配4个螺丝
IXFN38N100Q2_08 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet